很多朋友對led的誕生，芯片，封裝，來路不是很清楚。年初閑暇之余led顯示屏廠家迷你光電為大家刨根問底整理led來歷！
從歷史一步步觀看指示圖如下
在1962年誕生的初始，LED只是激光技術的副產(chǎn)品，但是經(jīng)過歲月的打磨，它已經(jīng)成為了業(yè)界的王者。
1907年，英國馬可尼(Marconi)實驗室的科學家Henry Round第一次推論半導體PN結在一定的條件下可以發(fā)出光。這個發(fā)現(xiàn)奠定了LED被發(fā)明的物理基礎。
1927年，俄羅斯科學家奧列弗拉基洛謝夫（Oleg Vladimirovich Losev）獨立制作了世界上第一顆LED，其研究成果曾先后在俄國、德國和英國的科學雜志上發(fā)表，可惜當時并沒有人理睬他。
1955年，美國無線電公司（RadioCorporation of America）33歲的物理學家魯賓·布朗石泰（Rubin Braunstein）首次發(fā)現(xiàn)了砷化鎵(GaAs)及其他半導體合金的紅外放射作用并在物理上實現(xiàn)了二極管的發(fā)光，可惜發(fā)出的光不是可見光而是紅外線，但這個貢獻也很大了。
1961年，德州儀器公司（TI）的科學家鮑勃·布萊德（Bob Biard）和加里·皮特曼（Gary Pittman）發(fā)現(xiàn)砷化鎵在施加電子流時會釋放紅外光輻射。他們率先生產(chǎn)出了用于商業(yè)用途的紅外LED并獲得了砷化鎵紅外二極管的發(fā)明專利。不久，紅外LED就被廣泛應用于傳感及光電設備當中。
1962年，美國通用電氣公司（GE）一名34歲的普通研究人員尼克·何倫亞克（Nick Holonyak Jr.）發(fā)明了可以發(fā)出紅色可見光的LED，被稱為“發(fā)光二極管之父”，后來也獲得了N多獎項。當時的LED還只能手工制造，而且每只的售價需要10美元。1963年，他離開通用電氣公司，出任其母校美國伊利諾大學電機工程系教授，培養(yǎng)自己的接班人。
1972年，何倫亞克的學生喬治·克勞福德（M. George Craford）踏著前輩們的腳步發(fā)明了第一顆橙黃光LED，其亮度是先前紅光LED的10倍，這標志著LED向著提高發(fā)光效率方向邁出的第一步。
20世紀70年代末期，LED已經(jīng)出現(xiàn)了紅、橙、黃、綠、翠綠等顏色，但依然沒有藍色和白色光的LED。因為只有發(fā)明出藍光LED才可能實現(xiàn)全彩色LED顯示，市場價值巨大，也是當時世界性的攻關難題?？茖W家們轉而將重點放在了提高LED的發(fā)光效率上面。
20世紀70年代中期，LED可產(chǎn)生綠、黃、橙色光時，發(fā)光效為1流明/瓦，到了20世紀80年代中期對砷化鎵和磷化鋁的使用使得第一代高亮度紅、黃、綠色光LED誕生，發(fā)光效率已達到10流明/瓦。
1993年，中村修二在日本日亞化學工業(yè)株式 會社(Nichia Corporation)就職期間，利用半導體材料氮化鎵（GaN）和銦氮化稼（InGaN）發(fā)明了藍光LED，在藍光LED出現(xiàn)之前，由于無法通過RGB系統(tǒng)合成白光，LED的光效、亮度也不高，LED無法應用于照明領域。因此在1995年中村修二采用銦氮化稼又發(fā)明了綠光LED，在1998年利用紅、綠、藍三種LED制成白光LED，從此綠光與白光LED研制成功，標志著LED正式進入照明領域，是LED照明發(fā)展最關鍵的里程碑。中村修二被稱為“藍光、綠光、白光LED之父”
1996年，日亞化學公司在日本最早申報的白光LED的發(fā)明專利就是在藍光LED芯片上涂覆YAG黃色熒光粉，通過芯片發(fā)出的藍光與熒光粉被激活后發(fā)出的黃光互補而形成白光。藍色和白色光LED的出現(xiàn)拓寬了LED的應用領域，使全彩色LED顯示、LED照明等應用成為可能。
21世紀初，LED已經(jīng)可以發(fā)出任何可見光譜顏色的光（還包括有紅外線和紫外線）。其發(fā)光效率已經(jīng)達到100流明/瓦以上.
發(fā)光機理
LED取自Light Emitting Diode三個字的縮寫，中文譯為“發(fā)光二極管”，具有二極管的特性。LED的心臟是一個半導體的晶片。晶片主要由P型半導體和N型半導體組成，不同材料的P型和N形半導體經(jīng)正向電流作用下會發(fā)出不同色彩的光。
優(yōu)點和缺點
優(yōu)點
1.節(jié)能，比白熾燈節(jié)能80%以上，比節(jié)能燈節(jié)能50%以上
2.體積小，重量輕，不怕震動
3.光效高，是白熾燈15m/w的8倍，是熒光燈50 Lm/w的2倍多
4.光色可選擇，LED光源的發(fā)光顏色和色溫都可以靈活應用
5.方向性好，LED發(fā)光角度可以靈活調整
6.環(huán)保：沒有節(jié)能燈所含的汞等有害物質
7.冷光源無紫外線和紅外線，故沒有熱量，沒有輻射。
8.壽命長，壽命可達5萬-10萬小時比傳統(tǒng)光源壽命長10-50倍以上。
9.響應速度快，納秒級。
缺點
1.散熱問題，LED在電致光的過程中另外一部分能量轉化成熱量，如無法及時散發(fā)出去，PN結的結溫將會升高，加速芯片和封裝樹脂的老化，使芯片失效，影響LED的使用壽命與發(fā)光表現(xiàn)
2.防水性能差，是戶外使用的一個致命弱點光源內(nèi)部吸水后內(nèi)部金屬氧化影響輸出或產(chǎn)生內(nèi)應力、熒光粉吸潮變色，光色漂移
3.成本較高、光源、散熱器、電源、高透燈罩/透鏡/反射罩、四者成本集體推高LED成本
4.需要驅動器提供恒流電源，驅動器壽命是影響燈具壽命的重要因素
5.半導體器件，對靜電影響比較敏感，易被靜電擊穿PN結導致漏電流或死燈
與傳統(tǒng)光源相比
LED的特性
LED工作電壓一般在2-3.9V之間。(不同光色的LED壓降不一樣)：綠色－3.3-3.9V；藍色、寶藍色－3.1-3.9V；紅色、琥珀色、橘紅色、－2.1-2.5V。LED的工作電流會隨著供應電壓的變化而產(chǎn)生較大的波動，所以LED一般要求工作在恒流驅動狀態(tài)。LED具有單向導通的特性(電流只能從二極管的正極流入，負極流出)。LED的光輸出會因應其輸入的電流而產(chǎn)生變化。LED的光輸出深受其工作溫度的影響。
LED芯片
LED芯片是半導體發(fā)光器件LED的核心部件，它主要由砷(AS).鋁(AL).鎵(Ga).銦(IN).磷(P).氮(N).鍶(Ｓi)這幾種元素中的若干種組成。
生產(chǎn)過程
一般將LED的生產(chǎn)分為上、中、下游三部分。
上游：襯底、外延片、晶粒的生產(chǎn)
1.制造成單晶棒，再將單晶棒用鉆石刀切成薄片(主要有藍寶石和、SiC、Si)長晶爐生長－掏取晶棒－滾磨－品檢－切片－研磨－ 倒角－拋光－清洗－品檢－OK。
2.外延片生產(chǎn)－利用MOCVD金屬有機化學氣相淀積等方法在單晶襯底在上面磊晶襯底 - 結構設計 - 緩沖層生長- N型GaN層生長-多量子阱發(fā)光層生- P型GaN層生長–退火-檢測（熒光、X射線）-外延片。
3.芯片生產(chǎn)－在外延片上制作電極(PN電極)并對成品進行切割分選等外延片活化－蝕刻－蒸鍍－PN電極制作－保護層－上焊盤－研磨拋光－點測－切割－擴張－目檢－包裝。
中游：LED芯片的封裝
1.上支架－點底膠－放芯片－烘烤固晶－金絲鍵合－模具灌膠－插支架－離模－后固化－切腳 －測試－光色分選－包裝(草帽管、食人魚等)。
2.上支架－點底膠－放芯片－烘烤固晶－金絲鍵合－點熒光膠－外殼灌封－測試－光色分選－包裝(大功率LED)。
下游：LED光源的應用
光源模組、替代光源、燈具、燈條燈帶、廣告燈箱、燈光工程、家居裝飾、顯示屏、汽車尾燈植物生長、醫(yī)療、手機筆記本電視的背光源等等。
LED芯片種類（按材料劃分）
LED的封裝
主要有三種封裝方式
1. 環(huán)氧樹脂封裝工藝：
優(yōu)點：密封性好、 抗震性強、 防護能力好、成本低。
缺點：散熱效果不佳、耐黃變能力弱、應力大、抗紫外能力弱，焊接溫度過高易開裂.故主要作為普光LED外封膠。
2. 硅樹脂封裝工藝：
優(yōu)點：高折射率，高透光率，密封性能優(yōu)于硅膠，散熱能力介于環(huán)氧樹脂和硅膠之間，具有樹脂和硅膠的部分特性。
缺點：應力較硅膠大，防潮或焊接不當易出現(xiàn)膠裂/分層硅樹脂由于價格昂貴，主要作為高亮度級白光LED外封膠。
3. 硅膠封裝工藝：
優(yōu)點：熱膨脹系數(shù)小，散熱性能好、應力較小、紫光能力強、回流焊時不容易膠裂、耐黃變能力強。
缺點：密封性不佳、防護能力弱、抗震性差，具有透氧透濕特性，用于戶外時需對燈體結構進行二次防護處理硅脂相對價格較貴，主要作為對光衰有要求的白光LED封膠。
