隨著市場需求的發(fā)展到越來越高的水平，追求視覺效果的可靠性變得越來越重要。未來，市場對4K、8K led電子屏高清屏幕的需求將爆炸，以較小間距、mini LED、Micro LED表示的新顯示將迎來新的技術(shù)拐點，技術(shù)革新意味著產(chǎn)業(yè)將有機會重新改變游戲規(guī)則，重新改變顯示器領(lǐng)域的競爭格局。
作為國內(nèi)LED芯片行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，部分led電子屏廠家長期部署在Mini/Micro LED領(lǐng)域，并取得了實質(zhì)性進展。在全球范圍內(nèi)進行了優(yōu)化，并獲得了若干技術(shù)突破和發(fā)明專利。
在mini RGB led芯片技術(shù)優(yōu)化中，led電子屏廠家設(shè)計了高可靠性和亮度的DBR倒裝芯片結(jié)構(gòu)。優(yōu)化PV和Mesa 刻蝕流程，以平滑復(fù)蓋金屬連接層。優(yōu)化了電極結(jié)構(gòu)和金屬沉積工藝，設(shè)計了高可靠性的電極。此外，特有的抖動技術(shù)可以在COB應(yīng)用情況下消除Mura效果。
與此同時，隨著芯片大小的持續(xù)縮小，非錫軟膏封裝芯片方案將成為提高旋律和降低成本的關(guān)鍵，實現(xiàn)了直接在mini led芯片電極上制作石工的技術(shù)應(yīng)用。紅光mini led芯片技術(shù)開發(fā)了高鍵結(jié)合率傳輸和組合工藝。設(shè)計了上層傷害保護層，優(yōu)化了材料沉積工藝，加強了膜，保證了外延頂部損傷的危險。
優(yōu)化背光迷你led芯片技術(shù)的膠片結(jié)構(gòu)設(shè)計，調(diào)節(jié)芯片輸出，使超薄設(shè)計更易于實現(xiàn)。
對于微LED芯片，在submicron級的過程線寬控制、芯片側(cè)漏電保護、基板剝離技術(shù)(批量芯片傳輸)、陣列粘接技術(shù)(陣列粘接粘接)、微LED的光學(xué)和光調(diào)節(jié)方面取得了良好的效果。目前獲得的芯片旋律可以達到5個9個級別，紅光 Micro LED效率也達到了國際領(lǐng)先水平，可以為不同的傳輸方式提供不同形式的Micro LED示例。“小間距顯示技術(shù)已經(jīng)成熟，第三代小間距產(chǎn)品即將上市，迷你led翻轉(zhuǎn)RGB芯片技術(shù)已經(jīng)批量生產(chǎn)，迷你led背光芯片技術(shù)正在進一步成熟。”金合光電副總裁認為，Micro LED目前正在開發(fā)中，需要上下聯(lián)合開發(fā)。
他表示，Micro led顯示屏將應(yīng)用于電視、手機、AR/VR、車輛顯示屏、可穿戴電子和數(shù)字顯示屏(商業(yè)廣告和顯示器等)。
